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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 10A; 9,6W; PDFN56


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Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     8WUGW-TSM110NB04DCR-RLG
Hersteller:
     Taiwan Semiconductor
Herst.-Nr.:
     TSM110NB04DCR RLG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: PDFN56
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 10A
Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 9,6W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 25nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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