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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4,1A; 1,56W; SOT23


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Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     8WUGW-TSM260P02CX-RFG
Hersteller:
     Taiwan Semiconductor
Herst.-Nr.:
     TSM260P02CX RFG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: -20V
Drainstrom: -4,1A
Widerstand im Leitungszustand: 26mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 1,56W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band
Gate-Ladung: 19,5nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±10V
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