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Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -1,3A; Idm: -5,2A; 1W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-US6J11TR
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     US6J11TR
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: TUMT6
Drain-Source Spannung: -12V
Drainstrom: -1,3A
Widerstand im Leitungszustand: 1,06Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET x2
Verlustleistung: 1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 2,4nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±10V
Drainstrom im Impuls: -5,2A
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