IGBT bei Mercateo günstig kaufen

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Infineon Smart Power Modul / 20 A 6-fach, 3,21 V 156 W, 18-Pin DIP 36 x 23 D. N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 3,21 V Verlustleistung max. = 156 W Gehäusegröße = DIP 36 x 23 D. Channel-Typ = N Pinanzahl = 18 Transistor-Konfiguration = Serie

Infineon

IM818LCCXKMA1

ab € 7 511,1708*
pro 280 Stück

onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max. Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BR (bleifreie und halogenfreie Lötstifte) (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 101 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1000 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 2

onsemi

NXH450B100H4Q2F2SG

ab € 5 909,89032*
pro 36 Stück

onsemi IGBT-Modul / 73 A ±20V max. 6-fach, 1000 V 79 W 93x47 (Presspassung) (bleifreie und halidefreie (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 73 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1000 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 79 W

onsemi

NXH300B100H4Q2F2PG

ab € 5 519,44008*
pro 36 Stück

Infineon IGBT ±20V max. 62,5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal (1 Angebot)

Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 62,5 W Gehäusegröße = PG-TDSON-8 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 8

Infineon

BSC16DN25NS3GATMA1

ab € 5 312,10*
pro 5 000 Stück

Infineon IGBT / 250 A ±20V max. Triple, 6500 V 1000 kW, 5-Pin CTI (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 250 A Kollektor-Emitter-Spannung = 6500 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1000 kW Gehäusegröße = CTI Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5

Infineon

FZ250R65KE3NPSA1

ab € 4 821,52*
pro 4 Stück

STMicroelectronics IGBT / 200 A ±20V max. Dual, 650 V 714 W, 9-Pin ECOPACK NPN-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 714 W Gehäusegröße = ECOPACK Montage-Typ = SMD Channel-Typ = NPN Pinanza...

ST Microelectronics

STGSB200M65DF2AG

ab € 4 672,63*
pro 200 Stück

onsemi IGBT-Modul Quad 119 W F1-4PACK Presssitzstifte mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien (TIM) (1 Angebot)

Verlustleistung max. = 119 W

onsemi

NXH020F120MNF1PTG

ab € 4 009,43004*
pro 28 Stück

Infineon IGBT-Modul / 950 A ±20V max. 6-fach, 750 V 870 W HybridPACK (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 950 A Kollektor-Emitter-Spannung = 750 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = HybridPACK

Infineon

FS950R08A6P2BBPSA1

ab € 3 488,69004*
pro 6 Stück

Infineon IGBT-Modul / 760 A +/-20V max. 6-fach, 1200 V, 33-Pin AG-HYBRIDD-1 N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 760 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = AG-HYBRIDD-1 Channel-Typ = N Pinanzahl = 33 Der In...

Infineon

FS380R12A6T4BBPSA1

ab € 3 342,53004*
pro 6 Stück

Semikron IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V max. , 1200 V (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Halbbrücke

Semikron

SKM400GB12F4

ab € 3 252,75*
pro 12 Stück

Infineon IGBT / 200 A 15V max. Triple, 750 V 1,07 kW TO247PLUS (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 750 V Gate-Source Spannung max. = 15V Anzahl an Transistoren = 3 Gehäusegröße = TO247PLUS

Infineon

AIKQ200N75CP2XKSA1

ab € 3 138,4104*
pro 240 Stück

Infineon IGBT / 150 A ±20V max., 1200 V 20 mW (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 20 mW Konfiguration = Dreiphasenbrücke Montage-Typ = Tafelmontage

Infineon

FP150R12KT4BPSA1

ab € 3 120,23*
pro 10 Stück

Infineon IGBT-Modul / 1,5 kA 20V max. Dual, 1700 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 1,5 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = Prime3+ Channel-Typ = N Pinanzahl = 10 Transistor-Ko...

Infineon

FF1500R17IP5PBPSA1

ab € 3 038,72001*
pro 3 Stück

Vishay SI7489DP-T1-E3 IGBT (1 Angebot)

IGBT

Vishay

SI7489DP-T1-E3

ab € 3 005,61*
pro 3 000 Stück

Infineon IGBT / 200 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 46-Pin Modul N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Chassismontage Channel-Typ = N...

Infineon

FP200R12N3T7BPSA1

ab € 2 962,36*
pro 10 Stück

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