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Infineon IGBT / 150 A ±20V max., 1200 V 20 mW


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2735336
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FP150R12KT4BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Konfiguration = Dreiphasenbrücke
Montage-Typ = Tafelmontage
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
150 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
20 mW
Konfiguration:
Dreiphasenbrücke
Montage-Typ:
Tafelmontage
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2735336, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FP150R12KT4BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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