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Infineon IGBT ±20V max. 62,5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2735239
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSC16DN25NS3GATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 62,5 W
Gehäusegröße = PG-TDSON-8
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 8
Weitere Informationen:
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
62,5 W
Gehäusegröße:
PG-TDSON-8
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
8
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, igbt infineon, igbt, 2735239, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC16DN25NS3GATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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