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"MOSFET"

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MOSFET N, 12 V 11 A 0.69 W UDFN2020-6 (2 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: UDFN2020-6, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 0.69 W
Diodes
DMN1019UFDE-7
ab € 0,124*
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MOSFET P, 20 V 3.6 A 0.81 W SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: P, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 0.81 W
Diodes
DMP2035U-7
ab € 0,209*
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MOSFET N, 60 V 3.6 A 1.5 W SOT-89 (3 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-89, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 1.5 W
Diodes
ZXMN6A11ZTA
ab € 0,712*
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MOSFET P, -60 V -4.1 A 2 W SOT-223 (3 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-223, Polarität: P, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 2 W
Diodes
ZXMP6A17GTA
ab € 0,7047*
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MOSFET N, 30 V 3.8 A 1.4 W SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 1.4 W
Diodes
DMN3150L-7
ab € 0,272*
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DIODES INC. BSS138-7-F MOSFET, N-KANAL, 50V, 0.2A, SOT23-3 (3 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, N-KANAL, 50V, 0.2A, SOT23-3 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 1.2 V Leistungsverlust Pd: 300 mW Dauerstrom, Id: 200 mA max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - un...
Diodes
BSS138-7-F
ab € 0,0205*
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DIODES INC. DMG3415U-7 MOSFET, P-KANAL, 20V, 4A, SOT-23 (3 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, P-KANAL, 20V, 4A, SOT-23 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: -550 mV Leistungsverlust Pd: 900 mW Dauerstrom, Id: -4 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbeg...
Diodes
DMG3415U-7
ab € 0,0557*
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MOSFET DIODES Incorporated ZXMN2B03E6TA 1 N-Kanal 1.1 W SOT-23-6 (3 Angebote) 
MOSFET Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 20 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 ...
Diodes
ZXMN2B03E6TA
ab € 0,51*
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2,9A; 1,08W; SOT23 (3 Angebote) 
Transistortyp: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -2.9A Leistung: 1.08W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.12Ω Montage:...
Diodes
DMP3098L-7
ab € 0,0491*
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MOSFET P, -60 V -2.3 A 2 W SOT-223 (3 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-223, Polarität: P, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 2 W
Diodes
ZXMP6A13GTA
ab € 0,6983*
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MOSFET N/P, 40 V 7 A 1.3 W SO-8 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SO-8, Polarität: N/P, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 1.3 W
Diodes
DMC4029SSDQ-13
ab € 0,8656*
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DIODES INC. DMG1029SV-7 MOSFET, N- & P-KANAL, 60V, SOT-563 (3 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, N- & P-KANAL, 60V, SOT-563 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 2.5 V Leistungsverlust Pd: 450 mW Dauerstrom, Id: 500 mA max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unb...
Diodes
DMG1029SV-7
ab € 0,08015*
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MOSFET N, 20 V 4.9 A 1.4 W SOT-23 (3 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 1.4 W
Diodes
ZXMN2F30FHTA
ab € 0,4069*
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 Stück
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1,9A; 2W; SOT223 (2 Angebote) 
Transistortyp: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -1.9A Leistung: 2W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.45Ω Montage: ...
Diodes
ZXMP10A17GTA
ab € 0,33*
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DIODES INC. DMP4015SK3-13 MOSFET, P-KANAL, -40V, TO-252-3 (2 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, P-KANAL, -40V, TO-252-3 RoHS konform: Y-EX Spannung, Ugs th(V) typ.: -2 V Leistungsverlust Pd: 3.5 W Dauerstrom, Id: -35 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegre...
Diodes
DMP4015SK3-13
ab € 0,3016*
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