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"MOSFET"

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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3,7A; 4,24W; DPAK (2 Angebote) 
Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -3.7A Leistung: 4.24W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.285Ω Montag...
Diodes
ZXMP10A16KTC
ab € 0,39*
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MOSFET P, 20 V 3.6 A 0.81 W SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: P, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 0.81 W
Diodes
DMP2035U-7
ab € 0,209*
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MOSFET N, 100 V 2.9 A 2 W SOT-223 (2 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-223, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 2 W
Diodes
ZXMN10A08GTA
ab € 0,25*
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MOSFET N, 60 V 3.6 A 1.5 W SOT-89 (3 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-89, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 1.5 W
Diodes
ZXMN6A11ZTA
ab € 0,722*
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MOSFET P, -60 V -4.1 A 2 W SOT-223 (3 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-223, Polarität: P, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 2 W
Diodes
ZXMP6A17GTA
ab € 0,7147*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; logic level; 50V; 0,2A; 300mW (3 Angebote) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Transistor-Art: logic level Drain-Source Spannung: 50V Drainstrom: 0.2A Leistung: 300mW Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leit...
Diodes
BSS138-7-F
ab € 0,0206*
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MOSFET N, 30 V 3.8 A 1.4 W SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 1.4 W
Diodes
DMN3150L-7
ab € 0,272*
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MOSFET P, -60 V -2.3 A 2 W SOT-223 (3 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-223, Polarität: P, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 2 W
Diodes
ZXMP6A13GTA
ab € 0,6883*
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DIODES INC. DMG3415U-7 MOSFET, P-KANAL, 20V, 4A, SOT-23 (3 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, P-KANAL, 20V, 4A, SOT-23 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: -550 mV Leistungsverlust Pd: 900 mW Dauerstrom, Id: -4 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbeg...
Diodes
DMG3415U-7
ab € 0,0554*
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MOSFET N, 12 V 11 A 0.69 W UDFN2020-6 (2 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: UDFN2020-6, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 0.69 W
Diodes
DMN1019UFDE-7
ab € 0,123*
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MOSFET N, 20 V 4.9 A 1.4 W SOT-23 (3 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 1.4 W
Diodes
ZXMN2F30FHTA
ab € 0,4069*
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DIODES INC. DMN6140L-7 MOSFET, N-KANAL, 20V, SOT-23-3 (3 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, N-KANAL, 20V, SOT-23-3 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 3 V Leistungsverlust Pd: 700 mW Dauerstrom, Id: 1.6 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt...
Diodes
DMN6140L-7
ab € 0,05837*
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DIODES INC. DMC2400UV-7 MOSFET, N- & P-KANAL, 20V, SOT-563-6 (3 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, N- & P-KANAL, 20V, SOT-563-6 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 900 mV Leistungsverlust Pd: 450 mW Dauerstrom, Id: 1.03 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - ...
Diodes
DMC2400UV-7
ab € 0,04*
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MOSFET N, 100 V 0.17 A 0.36 W SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 0.36 W
Diodes
BSS123Q-13
ab € 0,1655*
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2,9A; 1,08W; SOT23 (3 Angebote) 
Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -2.9A Leistung: 1.08W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.12Ω Montage...
Diodes
DMP3098L-7
ab € 0,0487*
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