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Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, TO-236, BSS123-7-F


Menge:  Packungen  
Produktinformationen
Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, TO-236, BSS123-7-F
Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, TO-236, BSS123-7-F
Artikel-Nr.:
     4503-17S8692
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     BSS123-7-F
EAN/GTIN:
     4099879032980
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Kleinsignal-MOSFET NFET en N-Kanal-Anreicherungstyp Reihe BSP../BSS. Technische Merkmale (Typ, Spannung (UDS), Strom (ID), Gehäuse, Hersteller): BSS123, 100 V, 170 mA, SOT23, Diodes
Weitere Informationen:
Ausführung:
N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V:
6 Ω
Gehäuse:
TO-236
max. Spannung:
100 V
max. Strom:
170 mA
max. Temperatur:
150 °C
min. Temperatur:
-55 °C
Montage:
SMD
Verlustleistung W (DC):
300 mW
Ursprungsland:
CN
Gewicht:
0.00006 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: diodes mosfet, feldeffekttransistor, mosfet sot23-3, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, FET
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