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  mosfet 100v  (892 gefilterte Angebote unter 17 298 838 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET"

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 88A; Idm: 360A; 238W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 88A Widerstand im Leitungszustand: 15,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 238W P...
Nexperia
PSMN6R9-100YSFX
ab € 0,76*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; Idm: 439A; 263W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;SOT404 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 78A Widerstand im Leitungszustand: 21,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Verlus...
Nexperia
BUK768R1-100E,118
ab € 1,43*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; 360mW; TO39 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: THT Gehäuse: TO39 Drain-Source Spannung: 100V Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,36W Polarisierung: unipolar ...
Microchip Technology
VN2210N2
ab € 15,79*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8,5A; Idm: 48A; 45W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 8,5A Widerstand im Leitungszustand: 312mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbra...
Nexperia
BUK9Y113-100E,115
ab € 0,30*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 90A; 104W; Power56 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: Power56 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 39A Widerstand im Leitungszustand: 24,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung: unip...
onsemi
FDMS3662
ab € 1,67*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9,7A; Idm: 39A; 42W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 9,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,22Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisierung: unipo...
Vishay
IRLI530GPBF
ab € 0,65*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; Idm: 617A; 187W; Power56 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: Power56 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 9,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 187W Polarisierung: unipo...
onsemi
FDMS86150ET100
ab € 4,41*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4,7A; Idm: 30A; 7,5W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 7,5W Polarisi...
Diodes
DMN10H220LK3-13
ab € 0,134*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4,9A; Idm: 31A; 42W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,27Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisierung: un...
Vishay
SIHFR120TRL-GE3
ab € 0,33*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4,9A; Idm: 31A; 42W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: IPAK;TO251 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisierung: un...
Vishay
SIHLU120-GE3
ab € 0,36*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 266A; 182W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;SOT404 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 47A Widerstand im Leitungszustand: 41mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Verlustl...
Nexperia
BUK9615-100E,118
ab € 1,22*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 274A; 195W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 48A Widerstand im Leitungszustand: 41,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbra...
Nexperia
BUK7Y15-100EX
ab € 0,80*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 500mA; Idm: 3,2A; 1W; TO92 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: THT Gehäuse: TO92 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0,5A Widerstand im Leitungszustand: 1,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1W Polarisieru...
Microchip Technology
TN0610N3-G-P003
ab € 0,94*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; Idm: 360A; 83W; TO220FN (1 Angebot) 
Hersteller: NTE Electronics Montage: THT Gehäuse: TO220FN Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 68A Widerstand im Leitungszustand: 8,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierun...
NTE Electronics
NTE2954
ab € 7,11*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7,5A; Idm: 16A; 17W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 7,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 17W Polarisie...
Diodes
DMN10H170SK3-13
ab € 0,209*
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