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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7,5A; Idm: 16A; 17W; TO252


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN10H170SK3-13
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN10H170SK3-13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
diodes mosfet
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: TO252
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 7,5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 17W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 9,7nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 16A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet 100v
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