MOSFET-Transistor  (26 289 Angebote unter 18 336 646 Artikeln)Zum Expertenwissen

Hersteller: WAYON Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 70V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 7,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 133W Polarisierung: unipol...

Hersteller: BRIDGELUX Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 0,65Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisierung: unip...

Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 710V Drainstrom: 36,5A Widerstand im Leitungszustand: 37mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 330W Polaris...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Montage...

Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 70V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 7,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 133W Polarisierung: unipolar...

Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 116A Widerstand im Leitungszustand: 4,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 168W Polarisierung: unipo...

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247AC Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 200A Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: anreich...

Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: PowerFLAT 5x5 Drain-Source Spannung: 710V Drainstrom: 8,5A Widerstand im Leitungszustand: 530mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 70W Po...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: ALPHA & OMEG...

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 4,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polar...

Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 710V Drainstrom: 9,4A Widerstand im Leitungszustand: 198mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 110W Polarisie...

Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 132A Widerstand im Leitungszustand: 5,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 462W Polarisierung: unipola...

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 59ns Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 230A Widerstand im Leitungszustand: 4,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480...

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: PQFN8 Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 3,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104,2W Polarisierung: unipo...