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"MOSFET"

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onsemi NVMFS6D1N08HT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 89 A 104 W, 5-Pin DFN (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 89 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = DFN Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Drain-Source-Widerstand max. = 5,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement G...
onsemi
NVMFS6D1N08HT1G
ab € 803,385*
pro 1.500 Stück
 
 Packung
onsemi NVMFS5H663NLT1G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 67 A 63 W, 5-Pin DFN (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 67 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = DFN Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Drain-Source-Widerstand max. = 10 mΩ Channel-Modus = Enhancement Ga...
onsemi
NVMFS5H663NLT1G
ab € 654,63*
pro 1.500 Stück
 
 Packung
onsemi NVMFS6H800NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 203 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = DFN Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Drain-Source-Widerstand max. = 2,1 mΩ Channel-Modus = Enhancement ...
onsemi
NVMFS6H800NT1G
ab € 3.061,47*
pro 1.500 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS247™ Bereitschaftszeit: 650ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung:...
IXYS
IXKR40N60C
ab € 17,00*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,04kW Polarisierung: unipolar...
IXYS
IXFQ50N60P3
ab € 5,65*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 104,7A; 312W; TO3PN (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: TO3PN Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 22A Widerstand im Leitungszustand: 95mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 312W Polarisierung: unipolar...
onsemi
FCA36N60NF
ab € 5,51*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,04kW Polarisierung: unipola...
IXYS
IXFT50N60P3
ab € 6,40*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4,6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 4,6A Widerstand im Leitungszustand: 1,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 147W Polarisierung: unipola...
onsemi
FQB8N60CTM
ab € 0,98*
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 Stück
onsemi NTN NTNS0K8N021ZTCG N-Kanal MOSFET Transistor 20 V / 220 mA, 3-Pin XDFN3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 220 mA Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = XDFN3 Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 4,5 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellensp...
onsemi
NTNS0K8N021ZTCG
ab € 1.548,72*
pro 8.000 Stück
 
 Packung
onsemi NTP110N65S3HF N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A 240 W, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ Channel-Modus = Enhanceme...
onsemi
NTP110N65S3HF
ab € 4,65*
pro 2 Stück
 
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Infineon
IPA60R600P6XKSA1
ab € 0,83*
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 Stück
onsemi NVMYS1D3N04CTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 252 A 134 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 252 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = LFPAK, SOT-669 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 1,15 mΩ Channel-Modus = ...
onsemi
NVMYS1D3N04CTWG
ab € 2.461,65*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 64A Widerstand im Leitungszustand: 95mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,25kW Polarisierung: unipolar...
IXYS
IXFK64N60Q3
ab € 24,54*
pro Stück
 
 Stück
onsemi NVTFS5124PLTG P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,7 A 18 W, 8-Pin WDFN (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 1,7 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = WDFN Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 380 mΩ Channel-Modus = Enhancement...
onsemi
NVTFS5124PLTAG
ab € 394,26*
pro 1.500 Stück
 
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Infineon
IPW60R040C7XKSA1
ab € 8,15*
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