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| Artikel-Nr.:
822EL-2025713 Herst.-Nr.:
NTNS0K8N021ZTCG EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 220 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = XDFN3
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = NTN
Der on Semiconductor Power Single N-Kanal Leistungs-MOSFET läuft mit 220 Milliampere und 80 Volt. Er kann in Kleinsignal-Lastschaltern, Hochgeschwindigkeits-Schnittstellenanwendungen, Pegelumschaltungsanwendungen verwendet werden.Bleifrei RoHS-konform Halogenfrei Flaches, extrem kleines Gehäuse Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 220 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | XDFN3 | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,5 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | NTN |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, 2025713, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTNS0K8N021ZTCG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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