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  SMD-Transistor  (11.086 Angebote unter 17.424.879 Artikeln)

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"SMD-Transistor"

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Transistor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolar; 500V; 30A; Idm: 150A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 32...
IXYS
MMIX2F60N50P3
ab € 29,34*
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 Stück
Infineon
BFP740H6327XTSA1
ab € 0,133*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0,24A; Idm: 1,2A (3 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT363;SC88;TSSOP6 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,24A Widerstand im Leitungszustand: 2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,42W Polar...
Nexperia
2N7002PS,115
ab € 0,0549*
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 Stück
Infineon CoolMOS P7 IPB60R060P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 151 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 151 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,06 O Channel-Modus = ...
Infineon
IPB60R060P7ATMA1
ab € 3,96*
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 Stück
Infineon
IPG20N04S409ATMA1
ab € 0,47*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
BSZ075N08NS5ATMA1
ab € 0,56223*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 900mW (1 Angebot) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TSOT25 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 0,9W P...
ROHM Semiconductor
QS5U13TR
ab € 0,102*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IPD60R170CFD7ATMA1
ab € 1,2231*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2,5W; SO8 (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 3A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 2,5W Polarisierun...
ST Microelectronics
STS4DNF60L
ab € 0,39*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
BFP780H6327XTSA1
ab € 3.609,51*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2,7A; 31W; SO8 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 2,7A Widerstand im Leitungszustand: 176mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 31W Polarisierung: unipol...
onsemi
FDS89161
ab € 0,89*
pro Stück
 
 Stück
Infineon CoolMOS P7 IPL60R065P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 151 A, 5-Pin ThinkPAK 8 x 8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 151 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = ThinkPAK 8 x 8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Drain-Source-Widerstand max. = 0,065 O Channel-Modus =...
Infineon
IPL60R065P7AUMA1
ab € 4,18*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9,6A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOP8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9,6A Widerstand im Leitungszustand: 15mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 2,5W Polarisie...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJSD12N03A
ab € 0,51*
pro 5 Stück
 
 Packung
Infineon C7 GOLD IPDD60R150G7XTMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 45 A, 10-Pin DDPAK (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 45 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = DDPAK Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 10 Drain-Source-Widerstand max. = 0,15 O Channel-Modus = Enhanceme...
Infineon
IPDD60R150G7XTMA1
ab € 2,06*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2,8A; 1,16W (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SM8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,16W Polarisi...
Diodes
ZXMS6006DT8TA
ab € 0,88*
pro Stück
 
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