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Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 900mW


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 900mW
Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 900mW
Artikel-Nr.:
     8WUGW-QS5U13TR
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     QS5U13TR
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: TSOT25
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 2A
Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky
Verlustleistung: 0,9W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 3,9nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±12V
Drainstrom im Impuls: 8A
Die Konditionen im Überblick1
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