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  transistoren, igb  (2 846 Angebote unter 17 390 418 Artikeln)

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STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 168 W, 3-Pin TO N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Tra...
ST Microelectronics
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ab € 2,14*
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onsemi IGBT / 160 A ±30V max. , 1200 V 454 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 160 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = P Pinanzahl =...
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onsemi IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 94 W, 3-Pin TO-3PF N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-3PF Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3...
onsemi
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ab € 458,9208*
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STMicroelectronics IGBT-Modul 5V max. 6-fach, 600 V SDIP2B-26L Typ X N-Kanal (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 5V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = SDIP2B-26L Typ X Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = Isoliert
ST Microelectronics
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STMicroelectronics IGBT-Modul 5V max. 6-fach, 600 V SDIP2B-26L Typ X N-Kanal (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 5V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = SDIP2B-26L Typ X Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = Isoliert
ST Microelectronics
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ab € 12,85*
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STMicroelectronics IGBT-Modul 5V max. 6-fach, 600 V SDIP2B-26L Typ X N-Kanal (2 Angebote) 
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 5V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = SDIP2B-26L Typ X Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = Isoliert De...
ST Microelectronics
STGIB15CH60TS-X
ab € 11,21*
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ROHM IGBT / 40 A ±30V max. , 650 V 214 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ROHM Semiconductor
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Mitsubishi IGBT-Modul / 50 6-fach, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = 3-phasig
Mitsubishi
PM50CG1B120#300G
ab € 247,15*
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Mitsubishi IGBT-Modul / 100 6-fach, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = 3-phasig Di...
Mitsubishi
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Mitsubishi IGBT-Modul / 100 6-fach, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = 3-phasig
Mitsubishi
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ROHM IGBT / 40 A ±30V max. , 650 V 214 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ROHM Semiconductor
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onsemi IGBT / 100 A ±20V max. , 650 V 268 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...
onsemi
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Mitsubishi IGBT-Modul / 50 6-fach, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot) 
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ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 348 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
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ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 254 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
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