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  transistoren, igb  (2 845 Angebote unter 17 380 058 Artikeln)

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Impuls: 200A Elek...
IXYS
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ab € 152,24*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM145GAL176D 22890510
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 29A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 29A Kollektorstrom im I...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24NAB176V1 25231910
ab € 210,67*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 80A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 80A Kollektorstrom im Impuls: 150A Anwen...
IXYS
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ab € 115,66*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 80A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 80A Kollektorstrom im Impuls: 150A Elekt...
IXYS
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 58A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 3 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 58A Kollektorstrom im I...
SEMIKRON DANFOSS
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ab € 324,59*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F1.1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
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ab € 22,19*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: L2.2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
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ab € 20,11*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F4.1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
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ab € 23,74*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,8kV; Ic: 98A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Rückspannung max.: 1,8kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 98A Kollektorstrom im I...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 28ANB18V3 25238230
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 25A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: L3.0 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
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ab € 34,70*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F1.1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F1S
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: L2.2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F4.1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 3 Leistung: 11kW Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kol...
SEMIKRON DANFOSS
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