25er Pack Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 P-Kanal 360mW TO-236-3

Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 P-Kanal 360mW TO-236-3

Typ: BSS83P
Gehäuse: TO-236-3
Hersteller: Infineon Technologies
Herst.-Abk.: INF
Ausführung: P-Kanal
I(d): 330 mA
U: 60 V
Leistung (max) P(TOT): 360 mW
R(DS)(on): 2 ?
R(DS)(on) Referenz-Strom: 330 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) max.: 2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 80 µA
Q(G): 3.57 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
C(ISS): 78 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Montageart: Oberflächenmontage
Serie: SIPMOS®
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Transistor-Merkmal: Logic Level Gate
U(DSS): 60 V
Kategorie: MOSFET
Kanäle: 1
Produkt-Art: MOSFET
Hersteller-Nr.: BSS83P
EAN: - - - - - - - - -
Ausgangs-Signal: Digital
Ausführung: Für wechselnde Magnetfelder, loaded-Version
Stromaufnahme: 50 mA