10er Pack Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-Kanal 1.8W TO-261-4

Typ: BSP149
Gehäuse: TO-261-4
Hersteller: Infineon Technologies
Herst.-Abk.: INF
Ausführung: N-Kanal
I(d): 660 mA
U: 200 V
Leistung (max) P(TOT): 1.8 W
R(DS)(on): 1.8 ?
R(DS)(on) Referenz-Strom: 660 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) max.: 1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 400 µA
Q(G): 14 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 5 V
C(ISS): 430 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Montageart: Oberflächenmontage
Serie: SIPMOS®
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Transistor-Merkmal: Deleption Mode
U(DSS): 200 V
Kategorie: MOSFET
Kanäle: 1
Produkt-Art: MOSFET
Hersteller-Nr.: BSP149
EAN: - - - - - - - - -
Load current recommended: max DC/AC 120 mA/DC 200 mA
ON-Resistance at 25 °C: max 20 ? bei 25 - 50 mA
Verlustleistung: (Emitter) 100mW, (Detector) 400mW
300 mW