3er Pack ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP

Typ: BD810G
Gehäuse: TO-220AB
Hersteller: ON Semiconductor
Herst.-Abk.: OnS
Kategorie: Transistor (BJT) - diskret
Kanäle: 1
Ausführung: PNP
Collector-Strom I(C): -10 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -80 V
VCE Sättigung (max.): -1.1 V
Kollektor Reststrom I(CES): -1 mA
Leistung (max) P(TOT): 90 W
DC Stromverstärkung (hFE): 15
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -4 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V
Transitfrequenz f(T): 1.5 MHz
Montageart: Durchführungsloch
Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret
Hersteller-Nr.: BD810G
EAN: - - - - - - - - -
Gabelweite: 5 mm
Gabeltiefe: 8.5 mm