5er Pack Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 N-Kanal 260W TO-220AB 1St./Pack

Typ: IRF8010PBF
Gehäuse: TO-220AB
Hersteller: Infineon Technologies
Herst.-Abk.: INF
Ausführung: N-Kanal
I(d): 80 A
U: 100 V
Leistung (max) P(TOT): 260 W
R(DS)(on): 15 m?
R(DS)(on) Referenz-Strom: 45 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) max.: 4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
Q(G): 120 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
C(ISS): 3830 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Montageart: Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.): +175 °C
Serie: HEXFET®
Transistor-Merkmal: Standard
U(DSS): 100 V
Kategorie: MOSFET
Kanäle: 1
Produkt-Art: MOSFET
Hersteller-Nr.: IRF8010PBF
EAN: - - - - - - - - -
Gehäusematerial: Polyamid
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Kontaktoberfläche: 6µ Gold.