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ONSEMI FCD5N60TM MOSFET, N-KANAL, 650V, D-PAK


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-1324777
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FCD5N60TM
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 4.6 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 54 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: Lead (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, mosfet dpak, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FCD5N60TM, 1324777, 132-4777
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