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ONSEMI FDD13AN06A0 MOSFET, N-KANAL, 60V, 50A, DPAK


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-1700666
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDD13AN06A0
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 50 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252AA
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 115 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: Lead (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDD13AN06A0, 1700666, 170-0666
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