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VISHAY SI2337DS-T1-E3 MOSFET, P-KANAL, 80V, 2.2A, TO-236


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2101436
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2337DS-T1-E3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 2.2 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-236
  • Drain-Source-Spannung Vds: 80 V
  • Verlustleistung: 760 mW
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2337DS-T1-E3, 2101436, 210-1436
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