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| Artikel-Nr.: 1331-2114712 Herst.-Nr.: PSMN1R7-60BS EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 120 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 306 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: Lead (23-Jan-2024) RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, PSMN1R7-60BS, 2114712, 211-4712 |
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