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ONSEMI FDB047N10 MOSFET, N-KANAL, 100V, 120A, TO-263-3


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2322574
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDB047N10
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
on semiconductor mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 120 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263AB
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 375 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 V
  • SVHC: Lead (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDB047N10, 2322574, 232-2574
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