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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
8WUGW-FDB047N10

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
FDB047N10

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
on semiconductor mosfet

Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 164A
Widerstand im Leitungszustand: 4,7mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 375W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 0,21µC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 656A

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Weitere Suchbegriffe: smd transistor

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