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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.41 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2335266
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI1012R-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 600 mA
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-416
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Verlustleistung: 150 mW
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900 mV
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI1012R-T1-GE3, 2335266, 233-5266
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