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IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2341719
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGP10NB60S
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
stmicroelectronics transistor
Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35 V
  • Kontinuierlicher Kollektorstrom: 29 A
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Verlustleistung: 80 W
  • SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: igbt, Dioden, Einfache, Gleichrichter, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STGP10NB60S, 2341719, 234-1719
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