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VISHAY SIHB23N60E-GE3 MOSFET, N-KANAL, 600V, 23A, TO-263-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2400377
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHB23N60E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 23 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 227 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
  • SVHC: Lead (19-Jan-2021)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHB23N60E-GE3, 2400377, 240-0377
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