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| Artikel-Nr.: 1331-2454802 Herst.-Nr.: SI2325DS-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 530 mABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SOT-23 Drain-Source-Spannung Vds: 150 VVerlustleistung: 750 mWQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 VSVHC: No SVHC (17-Jan-2023) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2325DS-T1-GE3, 2454802, 245-4802 |
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