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IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 40 A, 1.65 V, 161 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2519780
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RGT40NS65DGTL
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263S
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V
  • Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40 A
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Verlustleistung: 161 W
  • SVHC: Lead (17-Jan-2023)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: smd transistor, Dioden, Einfache, Gleichrichter, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RGT40NS65DGTL, 2519780, 251-9780
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