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Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage


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Produktinformationen:
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Artikel-Nr.:
     1331-2617469
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSS223PWH6327XTSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7 ohm
  • Produktpalette: OptiMOS
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 390 mA
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-323
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Verlustleistung: 250 mW
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900 mV
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, feldeffekttransistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, BSS223PWH6327XTSA1, 2617469, 261-7469
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