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Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0029 ohm, PowerPAK SO


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2747684
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIRC10DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
  • Dauer-Drainstrom Id: 60 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK SO
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 43 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 V
  • SVHC: Lead (19-Jan-2021)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIRC10DP-T1-GE3, 2747684, 274-7684
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