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VISHAY SIHA20N50E-GE3 MOSFET, N-KANAL, 500V, 19A, 150°C, 34W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2932907
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHA20N50E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16 ohm
  • Produktpalette: E
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 19 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220FP
  • Drain-Source-Spannung Vds: 500 V
  • Verlustleistung: 34 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: Lead (19-Jan-2021)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHA20N50E-GE3, 2932907, 293-2907
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