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| Artikel-Nr.: 1331-3003924 Herst.-Nr.: FQD2N90TM EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6 ohmProduktpalette: QFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 1.7 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 900 VVerlustleistung: 50 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: Lead (23-Jan-2024) RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FQD2N90TM, 3003924, 300-3924 |
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