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VISHAY SQS411ENW-T1_GE3 MOSFET AECQ101 P-KANAL -30V, -16A, 53.6W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3019162
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQS411ENW-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 16 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 53.6 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQS411ENW-T1_GE3, 3019162, 301-9162
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