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| Artikel-Nr.: 1331-3517213 Herst.-Nr.: SIHD11N80AE-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391 ohmProduktpalette: E Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 8 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 800 VVerlustleistung: 78 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: Lead (19-Jan-2021) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: MOSFET, MOSFET-Transistor, KT-Kondensator, MKS-Folienkondensator, MKT-Kondensator, Polyester-Kondensator, Radial Kondensator, folienkondensator 800v, filmkondensator, folienkondensator vishay, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHD11N80AE-GE3, 3517213, 351-7213 |
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