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VISHAY SI4058DY-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 100V, 10.3A, SOIC


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3772749
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4058DY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217 ohm
  • Produktpalette: ThunderFET
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 10.3 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOIC
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 5.6 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 V
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI4058DY-T1-GE3, 3772749, 377-2749
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