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VISHAY SI5457DC-T1-GE3 MOSFET, P-KANAL, 20V, 6A, 1206 CHIPFET


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-3772761
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI5457DC-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 6 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: ChipFET
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Verlustleistung: 5.7 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4 V
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI5457DC-T1-GE3, 3772761, 377-2761
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