| |
|
| Artikel-Nr.: 1331-3772797 Herst.-Nr.: SI8817DB-T2-E1 EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| | |
| Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061 ohmProduktpalette: TrenchFET Anzahl der Pins: 4 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 2.9 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: MICRO FOOT Drain-Source-Spannung Vds: 20 VVerlustleistung: 900 mWQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 VSVHC: No SVHC (10-Jun-2022) RoHS konform: Ja |
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI8817DB-T2-E1, 3772797, 377-2797 |
| | |
| |