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| Artikel-Nr.: 1331-3772884 Herst.-Nr.: SQS484ENW-T1_GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065 ohmProduktpalette: TrenchFET Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 16 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: PowerPAK 1212 Drain-Source-Spannung Vds: 40 VVerlustleistung: 62.5 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 VSVHC: No SVHC (10-Jun-2022) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQS484ENW-T1_GE3, 3772884, 377-2884 |
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