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DIODES INC. DMN10H100SK3-13 MOSFET, N-KANAL, 100V, 18A, TO-252


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3943511
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN10H100SK3-13
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
diodes mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 18 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 37 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, DIODES INC., DMN10H100SK3-13, 3943511, 394-3511
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