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| Artikel-Nr.: 1331-3943848 Herst.-Nr.: DMT10H015LK3-13 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 52.7 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 1.8 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 VSVHC: Lead (23-Jan-2024) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, DIODES INC., DMT10H015LK3-13, 3943848, 394-3848 |
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