STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD911 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN

STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD911 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 15 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: STMicroelectronics · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM · Kollektor Reststrom I(CES): 1 mA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 100 V · Leistung (max) P(TOT): 90 W · Montageart: Durchführungsloch · Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret · Transitfrequenz f(T): 3 MHz · Typ (Hersteller-Typ): BD911 · VCE Sättigung (max.): 3 V