ON Semiconductor RFP12N10L MOSFET 1 N-Kanal 60 W TO-220AB

ON Semiconductor RFP12N10L MOSFET 1 N-Kanal 60 W TO-220AB

MOSFET, N Kanal

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 900 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · I(d): 12 A · Leistung (max) P(TOT): 60 W · Montageart: Durchführungsloch · R(DS)(on): 200 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 12 A · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 2 V