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Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 50 V, SMD, SOT-23, BCR135E6327


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 50 V, SMD, SOT-23, BCR135E6327
Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 50 V, SMD, SOT-23, BCR135E6327
Artikel-Nr.:
     4503-12S6606
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BCR135E6327
EAN/GTIN:
     4099879027559
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Halbleiter
Semiconductor
Aktive Bauelemente
Schalttransistor
Bipolartransistor, BCR135E6327, Infineon Technologies Features * Eingebauter Vorspannungswiderstand * Niedrige Stromverstärkung * Hohe Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung * Pb-frei und RoHs-konform Anwendungen * Schaltkreis * Wechselrichter * Interface-Schaltung * Treiberschaltung
Weitere Informationen:
Ausführung:
NPN
Gehäuse:
SOT-23
max. Temperatur:
150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo:
50 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo:
50 V
min. Temperatur:
-65 °C
Montage:
SMD
Nennstrom:
100 mA
Sättigungsspannung:
300 mV
Transitfrequenz fTmin:
150 MHz
Verlustleistung VA (AC):
0.2 W
Kollektorstrom:
100 mA
min. Gleichstromverstärkung:
70 mA
Ursprungsland:
CN
Gewicht:
0.000015 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: Transistor, Bipolarer Transistor
Die Konditionen im Überblick1
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