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| Artikel-Nr.:
4503-14S6050 Herst.-Nr.:
BD649-T EAN/GTIN:
4099879028310 |
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| NPN-Leistungstransistor, BD649-T, COMSET Der BD649-T ist ein NPN-Transistor mit Epitaxie-Basis in einer monolithischen Dalrington-Schaltung und einem TO-220-Gehäuse. Er ist für Ausgangsstufen in Audiogeräten, allgemeinen Verstärkern und analogen Schaltanwendungen vorgesehen. Features * Einhaltung der RoHS-Richtlinien Weitere Informationen: | | Ausführung: | NPN | Frequenz: | 10 MHz | Gehäuse: | TO-220 | max. Temperatur: | 150 °C | max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo: | 120 V | max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo: | 100 V | min. Temperatur: | -65 °C | Montage: | THT | Nennstrom: | 8 A | Sättigungsspannung: | 2.5 V | Verlustleistung VA (AC): | 62.5 W | Kollektorstrom: | 8 A | Ursprungsland: | CN | Gewicht: | 0.002372 kg | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, Darlington-Transistor, Bipolarer Transistor |
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