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Bipolartransistor, NPN, 8 A, 120 V, THT, TO-220, BD651-T


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Produktinformationen
Bipolartransistor, NPN, 8 A, 120 V, THT, TO-220, BD651-T
Bipolartransistor, NPN, 8 A, 120 V, THT, TO-220, BD651-T
Artikel-Nr.:
     4503-14S6150
Hersteller:
     COMSET Semiconductors
Herst.-Nr.:
     BD651-T
EAN/GTIN:
     4099879028341
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungstransistor
leistungstransistor
NPN-Leistungstransistor, BD651-T, COMSET Der BD651-T ist ein NPN-Transistor mit Epitaxie-Basis in einer monolithischen Dalrington-Schaltung und einem TO-220-Gehäuse. Er ist für Ausgangsstufen in Audiogeräten, allgemeinen Verstärkern und analogen Schaltanwendungen vorgesehen. Features * Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Weitere Informationen:
Ausführung:
NPN
Frequenz:
10 MHz
Gehäuse:
TO-220
max. Temperatur:
150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo:
140 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo:
120 V
min. Temperatur:
-65 °C
Montage:
THT
Nennstrom:
8 A
Sättigungsspannung:
2.5 V
Verlustleistung VA (AC):
62.5 W
Kollektorstrom:
8 A
Ursprungsland:
IN
Gewicht:
0.002372 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, Darlington-Transistor, Bipolarer Transistor
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