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Infineon Technologies P-Kanal HEXFET Power MOSFET, -55 V, -11 A, TO-252, IRFR902


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Produktinformationen
Infineon Technologies P-Kanal HEXFET Power MOSFET, -55 V, -11 A, TO-252, IRFR902
Infineon Technologies P-Kanal HEXFET Power MOSFET, -55 V, -11 A, TO-252, IRFR902
Artikel-Nr.:
     4503-24S3331
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFR9024NTRPBF
EAN/GTIN:
     4099879033468
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
MOSFETs, IRFR9024NTRPBF, Infineon Technologies Der IRFR9024NTRPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche erreicht. Features * Extrem niedriger Einschaltwiderstand * Fortschrittliche Prozesstechnologie * P-Kanal * Schnelles Umschalten Anwendungen * DC-Motoren * Wechselrichter * SMPS * Beleuchtung * Lastschalter * Batteriebetriebene Anwendungen
Weitere Informationen:
Ausführung:
P-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V:
175 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC):
19 nC
Gehäuse:
TO-252
max. Spannung:
-55 V
max. Strom:
-11 A
max. Temperatur:
150 °C
min. Temperatur:
-55 °C
Montage:
SMD
Verlustleistung W (DC):
38 W
Ursprungsland:
CN
Gewicht:
0.0005 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, feldeffekttransistor, mosfet 11a, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, FET
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